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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFS9N60A
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFS9N60A - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFS9N60A
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFS9N60A
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Descripción detallada
Embalaje
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de datos
IRFS9N60A, SiHFS9N60A.pdf
Existencias disponibles: 5020

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFS9N60A
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFS9N60A con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFS9N60A

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 170W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 49 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.2A (Tc)  
Número de producto base IRFS9  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFS9N60A

Atributo del producto IRFS9N60A IRFSL11N50A IRFS830B IRFSL23N15D
Número de pieza IRFS9N60A IRFSL11N50A IRFS830B IRFSL23N15D
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Infineon Technologies
RDS (Max) @Id, Vgs 750mOhm @ 5.5A, 10V 550mOhm @ 6.6A, 10V 1.5Ohm @ 2.25A, 10V 90mOhm @ 14A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo D²PAK (TO-263) TO-262-3 TO-220F-3 TO-262
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 500 V 500 V 150 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.2A (Tc) 11A (Tc) 4.5A (Tj) 23A (Tc)
Paquete Tube Tube Bulk Tube
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 49 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3 Full Pack TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Número de producto base IRFS9 IRFSL11 - -
La disipación de energía (máximo) 170W (Tc) 190W (Tc) 38W (Tj) 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Serie - - - HEXFET®
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1426 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -

IRFS9N60A Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFS9N60A y la documentación Vishay Siliconix para IRFS9N60A - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
IRFS9N60A, SiHFS9N60A.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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