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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFPS29N60LPBF
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFPS29N60LPBF - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFPS29N60LPBF
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFPS29N60LPBF
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 29A SUPER247
Descripción detallada
Embalaje
TO-274AA
Ficha de datos
IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5270

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFPS29N60LPBF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFPS29N60LPBF con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFPS29N60LPBF

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SUPER-247™ (TO-274AA)  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 480W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-274AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc)  
Número de producto base IRFPS29  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFPS29N60LPBF

Atributo del producto IRFPS29N60LPBF IRFPS38N60L IRFPG30PBF IRFPG50PBF
Número de pieza IRFPS29N60LPBF IRFPS38N60L IRFPG30PBF IRFPG50PBF
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
La disipación de energía (máximo) 480W (Tc) 540W (Tc) 125W (Tc) 190W (Tc)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
RDS (Max) @Id, Vgs 210mOhm @ 17A, 10V 150mOhm @ 23A, 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 2Ohm @ 3.6A, 10V
Paquete / Cubierta TO-274AA TO-274AA TO-247-3 TO-247-3
Paquete Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo SUPER-247™ (TO-274AA) SUPER-247™ (TO-274AA) TO-247AC TO-247AC
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 220 nC @ 10 V 320 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6160 pF @ 25 V 7990 pF @ 25 V 980 pF @ 25 V 2800 pF @ 25 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 29A (Tc) 38A (Tc) 3.1A (Tc) 6.1A (Tc)
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Número de producto base IRFPS29 IRFPS38 IRFPG30 IRFPG50
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 1000 V 1000 V

IRFPS29N60LPBF Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFPS29N60LPBF y la documentación Vishay Siliconix para IRFPS29N60LPBF - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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