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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFD420
IRFD420 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFD420 - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFD420
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFD420
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Descripción detallada
Embalaje
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Ficha de datos
IRFD420.pdf
Existencias disponibles: 5220

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFD420
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFD420 con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFD420

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 4-HVMDIP  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta)  
Paquete / Cubierta 4-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 370mA (Ta)  
Número de producto base IRFD420  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFD420

Atributo del producto IRFD420 IRFD9020 IRFD9024PBF IRFD9014PBF
Número de pieza IRFD420 IRFD9020 IRFD9024PBF IRFD9014PBF
Fabricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Paquete del dispositivo 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP 4-HVMDIP
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete Tube Tube Bulk Bulk
La disipación de energía (máximo) 1W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 360 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 570 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 370mA (Ta) 1.6A (Ta) 1.6A (Ta) 1.1A (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 60 V 60 V 60 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 24 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V
RDS (Max) @Id, Vgs 3Ohm @ 220mA, 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 280mOhm @ 960mA, 10V 500mOhm @ 660mA, 10V
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 1µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Número de producto base IRFD420 IRFD9020 IRFD9024 IRFD9014
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm) 4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRFD420 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFD420 y la documentación Vishay Siliconix para IRFD420 - Vishay Siliconix.

Hojas de datos
IRFD420.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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