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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIRFB9N30A
Vishay Siliconix
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IRFB9N30A - Vishay Siliconix

Fabricante Número de pieza
IRFB9N30A
Fabricante
Vishay / Siliconix
Allelco Número de pieza
32D-IRFB9N30A
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IRFB9N30A.pdf
Existencias disponibles: 5250

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IRFB9N30A
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay Siliconix - IRFB9N30A con especificaciones similares a Vishay Siliconix - IRFB9N30A

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay / Siliconix  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220AB  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 450mOhm @ 5.6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 96W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc)  
Número de producto base IRFB9  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay Siliconix IRFB9N30A

Atributo del producto IRFB9N30A IRFBA1405PPBF IRFBA1404PPBF IRFB9N65A
Número de pieza IRFB9N30A IRFBA1405PPBF IRFBA1404PPBF IRFB9N65A
Fabricante Vishay Siliconix International Rectifier International Rectifier Vishay Siliconix
Paquete del dispositivo TO-220AB SUPER-220™ (TO-273AA) SUPER-220™ (TO-273AA) TO-220AB
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-273AA TO-273AA TO-220-3
Paquete Tube Bulk Bulk Tube
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 300 V 55 V 40 V 650 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±30V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Característica de FET - - - -
Número de producto base IRFB9 - - IRFB9N65
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.3A (Tc) 174A (Tc) 206A (Tc) 8.5A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 33 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
La disipación de energía (máximo) 96W (Tc) 330W (Tc) 300W (Tc) 167W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF @ 25 V 5480 pF @ 25 V 7360 pF @ 25 V 1417 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - HEXFET® HEXFET® -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 450mOhm @ 5.6A, 10V 5mOhm @ 101A, 10V 3.7mOhm @ 95A, 10V 930mOhm @ 5.1A, 10V

IRFB9N30A Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IRFB9N30A y la documentación Vishay Siliconix para IRFB9N30A - Vishay Siliconix.

Otros documentos relacionados
Packaging Information.pdf
Hojas de datos
IRFB9N30A.pdf
PCN obsolescencia/ EOL
Mosfet EOL 25/Feb/2009.pdf

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  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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