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CasaProductosProductos semiconductores discretosDiodos-puentes rectificadoresB80C1500G-E4/51
B80C1500G-E4/51 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

B80C1500G-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricante Número de pieza
B80C1500G-E4/51
Fabricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Número de pieza
32D-B80C1500G-E4/51
Modelo ECAD
Descripción de piezas
BRIDGE RECT 1PHASE 125V 1.5A WOG
Descripción detallada
Embalaje
4-Circular, WOG
Ficha de datos
B40C1500G thru B380C1500G.pdf
B40C1500G thru B380C1500G.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 111800

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas B80C1500G-E4/51
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B80C1500G-E4/51 con especificaciones similares a Vishay General Semiconductor - Diodes Division - B80C1500G-E4/51

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensión - inversa de pico (máxima) 125 V  
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1 V @ 1 A  
Tecnología Standard  
Paquete del dispositivo WOG  
Serie -  
Paquete / Cubierta 4-Circular, WOG  
Atributo del producto Valor del atributo  
Paquete Bulk  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Tipo de diodo Single Phase  
Corriente - Fuga inversa a Vr 10 µA @ 125 V  
Corriente - rectificada media (Io) 1.5 A  
Número de producto base B80  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Vishay General Semiconductor - Diodes Division B80C1500G-E4/51

Atributo del producto B80C1500G-E4/51 VUO52-22NO1 VBO22-14NO8 NSR1030QMUTWG
Número de pieza B80C1500G-E4/51 VUO52-22NO1 VBO22-14NO8 NSR1030QMUTWG
Fabricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS IXYS onsemi
Serie - - - -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) 125°C (TJ)
Paquete Bulk Box Box Tape & Reel (TR)
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 1 V @ 1 A 1.13 V @ 20 A 2.2 V @ 150 A 600 mV @ 1 A
Paquete / Cubierta 4-Circular, WOG V1A-PAK 4-Square, FO-B 4-UDFN Exposed Pad
Corriente - rectificada media (Io) 1.5 A 60 A 21 A 1 A
Tipo de diodo Single Phase Three Phase Single Phase Single Phase
Número de producto base B80 VUO52 VBO22 NSR1030
Tecnología Standard Standard Standard Schottky
Tensión - inversa de pico (máxima) 125 V 2.2 kV 1.4 kV 30 V
Paquete del dispositivo WOG V1A-PAK FO-B 4-UDFN (3x3)
Corriente - Fuga inversa a Vr 10 µA @ 125 V 40 µA @ 2200 V 300 µA @ 1400 V 20 µA @ 30 V
Tipo de montaje Through Hole Chassis Mount QC Terminal Surface Mount

B80C1500G-E4/51 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF B80C1500G-E4/51 y la documentación Vishay General Semiconductor - Diodes Division para B80C1500G-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

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Diseño/especificación de PCN
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Hoja de datos HTML
B40C1500G thru B380C1500G.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
DD-010-2014-Rev-0 11/Jun/2014.pdf

Modo de transporte

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Coste de envío

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Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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