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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaSI2301A
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SI2301A - UMW

Fabricante Número de pieza
SI2301A
Fabricante
UMW
Allelco Número de pieza
32D-SI2301A
Modelo ECAD
Descripción de piezas
20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Descripción detallada
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
UMW SI2301A.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 321060

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SI2301A
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de UMW - SI2301A con especificaciones similares a UMW - SI2301A

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante UMW  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-23  
Serie UMW  
RDS (Max) @Id, Vgs 85mOhm @ 2.8A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta)  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las UMW SI2301A

Atributo del producto SI2301A SI2300DS-T1-GE3 SI2301A-TP SI2301BDS-T1-GE3
Número de pieza SI2301A SI2300DS-T1-GE3 SI2301A-TP SI2301BDS-T1-GE3
Fabricante UMW Vishay Siliconix Micro Commercial Co Vishay Siliconix
RDS (Max) @Id, Vgs 85mOhm @ 2.8A, 4.5V 68mOhm @ 2.9A, 4.5V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo SOT-23 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 SOT-23-3 (TO-236)
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) 1.25W 700mW (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V 320 pF @ 15 V 880 pF @ 6 V 375 pF @ 6 V
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 30 V 20 V 20 V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA
Serie UMW TrenchFET® - TrenchFET®
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±8V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Característica de FET - - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.8A (Ta) 3.6A (Tc) 2.8A (Tj) 2.2A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 14.5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V

SI2301A Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SI2301A y la documentación UMW para SI2301A - UMW.

Hojas de datos
UMW SI2301A.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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Modos de pago compatibles

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