Especificaciones
Especificaciones tecnológicas TPN1110ENH,L1Q
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q con especificaciones similares a Toshiba Semiconductor and Storage - TPN1110ENH,L1Q
| Atributo del producto |
Valor del atributo
| |
| Fabricante |
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) |
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| VGS (th) (Max) @Id |
4V @ 200µA |
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| Vgs (Max) |
±20V |
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| Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Paquete del dispositivo |
8-TSON Advance (3.1x3.1) |
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| Serie |
U-MOSVIII-H |
|
| RDS (Max) @Id, Vgs |
114mOhm @ 3.6A, 10V |
|
| La disipación de energía (máximo) |
700mW (Ta), 39W (Tc) |
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| Paquete / Cubierta |
8-PowerVDFN |
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| Paquete |
Tape & Reel (TR) |
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| Atributo del producto |
Valor del atributo
| |
| Temperatura de funcionamiento |
150°C (TJ) |
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| Tipo de montaje |
Surface Mount |
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| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
600 pF @ 100 V |
|
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs |
7 nC @ 10 V |
|
| Tipo FET |
N-Channel |
|
| Característica de FET |
- |
|
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
|
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las |
200 V |
|
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C |
7.2A (Ta) |
|
| Número de producto base |
TPN1110 |
|
Modo de transporte
El tiempo de entrega
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Método de entrega
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| Referencia de tiempo logístico de países comunes |
| Región |
País |
Hora logística (día) |
| America |
Estados Unidos |
5 |
| Brasil |
7 |
| Europa |
Alemania |
5 |
| Reino Unido |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceanía |
Australia |
6 |
| Nueva Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Japón |
4 |
| Oriente Medio |
Israel |
6 |
| Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx |
| Cargos de envío (kg) |
Referencia DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
Póngase en contacto con nosotros si tiene alguna pregunta.
