Especificaciones tecnológicas TPCF8107,LF
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF con especificaciones similares a Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 100µA | |
Vgs (Max) | +20V, -25V | |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | |
Paquete del dispositivo | VS-8 (2.9x1.5) | |
Serie | U-MOSVI | |
RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V | |
La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) | |
embalaje | Cut Tape (CT) | |
Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead | |
Otros nombres | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
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Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Tipo de montaje | Surface Mount | |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V | |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | |
Descripción detallada | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF
Atributo del producto | ||||
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Número de pieza | TPCF8107,LF | TPCF8108LF | TPCF8108 | TPCF8108(TE85L,F,M) |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | TOSHIBA/TUBE | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V | - | - | - |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 30V | - | - | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - | - | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 22nC @ 10V | - | - | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
VGS (th) (Max) @Id | 2V @ 100µA | - | - | - |
Paquete del dispositivo | VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
Paquete / Cubierta | 8-SMD, Flat Lead | - | - | - |
Otros nombres | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
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Descripción detallada | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
embalaje | Cut Tape (CT) | - | - | - |
Vgs (Max) | +20V, -25V | - | - | - |
Tipo de montaje | Surface Mount | - | - | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) | - | - | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | - | - | - |
Característica de FET | - | - | - | - |
Tipo FET | P-Channel | - | - | - |
La disipación de energía (máximo) | 700mW (Ta) | - | - | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V | - | - | - |
Serie | U-MOSVI | - | - | - |
Descargue las hojas de datos PDF TPCF8107,LF y la documentación Toshiba Semiconductor and Storage para TPCF8107,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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