Especificaciones tecnológicas TPC8208(TE12L,Q)
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q) con especificaciones similares a Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8208(TE12L,Q)
Atributo del producto | Valor del atributo | |
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Fabricante | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 200µA | |
Paquete del dispositivo | 8-SOP (5.5x6.0) | |
Serie | - | |
RDS (Max) @Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4V | |
Potencia - Max | 450mW | |
embalaje | Original-Reel® | |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | |
Otros nombres | TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ |
|
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Atributo del producto | Valor del atributo | |
---|---|---|
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V | |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.5nC @ 5V | |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
Característica de FET | Logic Level Gate | |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A | |
Número de pieza base | TPC*208 |
Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208(TE12L,Q)
Atributo del producto | ![]() |
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Número de pieza | TPC8208(TE12L,Q) | TPC8208(TE12L,Q,M) | TPC8207(TE12L) | TPC8207. |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
Característica de FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
Número de pieza base | TPC*208 | - | - | - |
Potencia - Max | 450mW | 450mW | 750mW | - |
Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | - | - | - |
Paquete del dispositivo | 8-SOP (5.5x6.0) | 8-SOP (5.5x6.0) | 8-SOP (5.5x6.0) | - |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | - | - |
embalaje | Original-Reel® | - | - | - |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 9.5nC @ 5V | 9.5nC @ 5V | 22nC @ 5V | - |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | - |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 20V | 20V | 20V | - |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 5A | 5A | 6A | - |
Otros nombres | TPC8208DKR TPC8208DKR-ND TPC8208QDKR TPC8208TE12LQ |
- | - | - |
Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | - | - | - |
RDS (Max) @Id, Vgs | 50 mOhm @ 2.5A, 4V | 50mOhm @ 2.5A, 4V | 20mOhm @ 4.8A, 4V | - |
Serie | - | - | - | - |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V | 780pF @ 10V | 2010pF @ 10V | - |
VGS (th) (Max) @Id | 1.2V @ 200µA | 1.2V @ 200µA | 1.2V @ 200µA | - |
Descargue las hojas de datos PDF TPC8208(TE12L,Q) y la documentación Toshiba Semiconductor and Storage para TPC8208(TE12L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage.
Referencia de tiempo logístico de países comunes | ||
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Región | País | Hora logística (día) |
America | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemania | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Italia | 5 | |
Oceanía | Australia | 6 |
Nueva Zelanda | 5 | |
Asia | India | 4 |
Japón | 4 | |
Oriente Medio | Israel | 6 |
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx | |
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Cargos de envío (kg) | Referencia DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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