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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escoja2SK3068(TE24L,Q)
2SK3068(TE24L,Q) Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

2SK3068(TE24L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricante Número de pieza
2SK3068(TE24L,Q)
Fabricante
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Número de pieza
32D-2SK3068(TE24L,Q)
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
Mosfets Prod Guide.pdf
2SK3068.pdf
Existencias disponibles: 4360

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas 2SK3068(TE24L,Q)
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3068(TE24L,Q) con especificaciones similares a Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3068(TE24L,Q)

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220SM  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 520mOhm @ 6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 100W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Número de producto base 2SK3068  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3068(TE24L,Q)

Atributo del producto 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3065T100 2SK306400L 2SK3064G0LS0+
Número de pieza 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3065T100 2SK306400L 2SK3064G0LS0+
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage Rohm Semiconductor Panasonic Electronic Components Panasonic
Número de producto base 2SK3068 2SK3065 - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 2A (Ta) 100mA (Ta) -
Serie - - - -
La disipación de energía (máximo) 100W (Tc) 500mW (Ta) 150mW (Ta) -
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo TO-220SM MPT3 SMini3-G1 -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 60 V 30 V -
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-243AA SC-70, SOT-323 -
RDS (Max) @Id, Vgs 520mOhm @ 6A, 10V 320mOhm @ 1A, 4V 50Ohm @ 10mA, 5V -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2040 pF @ 10 V 160 pF @ 10 V - -
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA 1.5V @ 1mA 2V @ 1µA -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 45 nC @ 10 V - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4V 5V -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

2SK3068(TE24L,Q) Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF 2SK3068(TE24L,Q) y la documentación Toshiba Semiconductor and Storage para 2SK3068(TE24L,Q) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Hojas de datos
Mosfets Prod Guide.pdf 2SK3068.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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