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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaTSM05N03CW
Taiwan Semiconductor Corporation
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

TSM05N03CW - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricante Número de pieza
TSM05N03CW
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Allelco Número de pieza
32D-TSM05N03CW
Modelo ECAD
Descripción de piezas
30V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Descripción detallada
Embalaje
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de datos
TSM05N03.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 80220

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas TSM05N03CW
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Taiwan Semiconductor Corporation - TSM05N03CW con especificaciones similares a Taiwan Semiconductor Corporation - TSM05N03CW

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-223  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 60mOhm @ 5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 3W (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  
Número de producto base TSM05  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Taiwan Semiconductor Corporation TSM05N03CW

Atributo del producto TSM05N03CW TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56 RLG TSM042N03CS RLG
Número de pieza TSM05N03CW TSM055N03EPQ56 TSM036N03PQ56 RLG TSM042N03CS RLG
Fabricante Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Número de producto base TSM05 TSM055 TSM036 TSM042
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 3W (Ta) 74W (Tc) 83W (Tc) 7W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) 80A (Tc) 124A (Tc) 30A (Tc)
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo SOT-223 8-PDFN (5x5.8) 8-PDFN (5x6) 8-SOP
Paquete / Cubierta TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RDS (Max) @Id, Vgs 60mOhm @ 5A, 10V 5.5mOhm @ 20A, 10V 3.6mOhm @ 22A, 10V 4.2mOhm @ 12A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 7 nC @ 5 V 11.1 nC @ 4.5 V 50 nC @ 10 V 24 nC @ 4.5 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V 1210 pF @ 25 V 2530 pF @ 15 V 2200 pF @ 25 V

TSM05N03CW Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF TSM05N03CW y la documentación Taiwan Semiconductor Corporation para TSM05N03CW - Taiwan Semiconductor Corporation.

Hojas de datos
TSM05N03.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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