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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaBUK7Y153-100EX
Nexperia USA Inc.
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

BUK7Y153-100EX - Nexperia USA Inc.

Fabricante Número de pieza
BUK7Y153-100EX
Fabricante
Nexperia
Allelco Número de pieza
32D-BUK7Y153-100EX
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK56
Descripción detallada
Embalaje
SC-100, SOT-669
Ficha de datos
BUK7Y153-100E.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 129410

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas BUK7Y153-100EX
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Nexperia USA Inc. - BUK7Y153-100EX con especificaciones similares a Nexperia USA Inc. - BUK7Y153-100EX

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante Nexperia  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo LFPAK56, Power-SO8  
Serie Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 153mOhm @ 2A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 37.3W (Tc)  
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 497 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc)  
Número de producto base BUK7Y153  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Nexperia USA Inc. BUK7Y153-100EX

Atributo del producto BUK7Y153-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B
Número de pieza BUK7Y153-100EX BUK7Y1R7-40HX BUK7Y12-40EX BUK7Y12-55B
Fabricante Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NEXPERLA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
RDS (Max) @Id, Vgs 153mOhm @ 2A, 10V 1.7mOhm @ 25A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9.4A (Tc) 120A (Ta) 52A (Tc) -
Paquete del dispositivo LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 497 pF @ 25 V 6142 pF @ 25 V 1039 pF @ 25 V -
Paquete / Cubierta SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA 3.6V @ 1mA 4V @ 1mA -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Característica de FET - - - -
Número de producto base BUK7Y153 BUK7Y1 BUK7Y12 -
Serie Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ -
Vgs (Max) ±20V +20V, -10V ±20V -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 40 V 40 V -
La disipación de energía (máximo) 37.3W (Tc) 294W (Tc) 65W (Tc) -

BUK7Y153-100EX Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF BUK7Y153-100EX y la documentación Nexperia USA Inc. para BUK7Y153-100EX - Nexperia USA Inc..

Embalaje de PCN
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Ensamblaje de PCN/origen
Mult Dev 11/Nov/2022.pdf
Hojas de datos
BUK7Y153-100E.pdf

Modo de transporte

El tiempo de entrega

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Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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