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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesTT8M3TR
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

TT8M3TR - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
TT8M3TR
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-TT8M3TR
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8
Descripción detallada
Embalaje
8-SMD, Flat Lead
Ficha de datos
TT8M3 ~.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 238690

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas TT8M3TR
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - TT8M3TR con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - TT8M3TR

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-TSST  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Potencia - Max 1W  
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V  
Característica de FET Logic Level Gate, 1.5V Drive  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A, 2.4A  
Configuración N and P-Channel  
Número de producto base TT8M3  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor TT8M3TR

Atributo del producto TT8M3TR TT8J2TR TT8J11TCR TT8M1TR
Número de pieza TT8M3TR TT8J2TR TT8J11TCR TT8M1TR
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Característica de FET Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate, 1.5V Drive
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 10V 460pF @ 10V 2600pF @ 6V 260pF @ 10V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA
Configuración N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo 8-TSST 8-TSST 8-TSST 8-TSST
Potencia - Max 1W 1.25W 650mW 1W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Número de producto base TT8M3 TT8 TT8J11 TT8M1
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V 4.8nC @ 5V 22nC @ 4.5V 3.6nC @ 4.5V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2.5A, 2.4A 2.5A 3.5A 2.5A
Serie - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20V 30V 12V 20V
RDS (Max) @Id, Vgs 72mOhm @ 2.5A, 4.5V 84mOhm @ 2.5A, 10V 43mOhm @ 3.5A, 4.5V 72mOhm @ 2.5A, 4.5V

TT8M3TR Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF TT8M3TR y la documentación Rohm Semiconductor para TT8M3TR - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Hojas de datos
TT8M3 ~.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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