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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesSP8M51FRATB
SP8M51FRATB Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SP8M51FRATB - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
SP8M51FRATB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-SP8M51FRATB
Modelo ECAD
Descripción de piezas
4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SP8M51FRATB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 48380

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SP8M51FRATB
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - SP8M51FRATB

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOP  
Serie Automotive, AEC-Q101  
RDS (Max) @Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V  
Potencia - Max 2W  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta)  
Configuración N and P-Channel  
Número de producto base SP8M51  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor SP8M51FRATB

Atributo del producto SP8M51FRATB SP8M70TB1 SP8M51TB1 SP8M4TB
Número de pieza SP8M51FRATB SP8M70TB1 SP8M51TB1 SP8M4TB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Configuración N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 4V @ 1mA - 2.5V @ 1mA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta), 2.5A (Ta) 3A, 2.5A 3A, 2.5A 9A, 7A
Potencia - Max 2W 650mW 2W 2W (Ta)
Número de producto base SP8M51 SP8M7 SP8M51 SP8M4
Característica de FET - - - Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V 250V 100V 30V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
RDS (Max) @Id, Vgs 170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V 1.63Ohm @ 1.5A, 10V - 18mOhm @ 9A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 10V, 1550pF @ 25V 180pF @ 25V - 1190pF @ 10V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 8.5nC @ 5V, 12.5nC @ 5V 5.2nC @ 10V - 21nC @ 5V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -

SP8M51FRATB Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SP8M51FRATB y la documentación Rohm Semiconductor para SP8M51FRATB - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
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Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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