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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesSP8K31FRATB
SP8K31FRATB Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

SP8K31FRATB - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
SP8K31FRATB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-SP8K31FRATB
Modelo ECAD
Descripción de piezas
4V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORRESP
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
SP8K31FRATB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 109170

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas SP8K31FRATB
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - SP8K31FRATB con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - SP8K31FRATB

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOP  
Serie Automotive, AEC-Q101  
RDS (Max) @Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V  
Potencia - Max 2W  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.2nC @ 5V  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta)  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base SP8K31  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor SP8K31FRATB

Atributo del producto SP8K31FRATB SP8K31TB1 SP8K2TB SP8K32FRATB
Número de pieza SP8K31FRATB SP8K31TB1 SP8K2TB SP8K32FRATB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Número de producto base SP8K31 SP8K31 SP8K2 SP8K32
Característica de FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Potencia - Max 2W 2W 2W 2W
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 3.5A (Ta) 3.5A 6A 4.5A (Ta)
Paquete del dispositivo 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 5.2nC @ 5V 5.2nC @ 5V 10.1nC @ 5V 10nC @ 5V
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
RDS (Max) @Id, Vgs 120mOhm @ 3.5A, 10V 120mOhm @ 3.5A, 10V 30mOhm @ 6A, 10V 65mOhm @ 4.5A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 150°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60V 60V 30V 60V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V 250pF @ 10V 520pF @ 10V 500pF @ 10V
Serie Automotive, AEC-Q101 - - Automotive, AEC-Q101

SP8K31FRATB Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF SP8K31FRATB y la documentación Rohm Semiconductor para SP8K31FRATB - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf AEC-Q101 Automotive Requirements.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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