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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRYC002N05T316
RYC002N05T316 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RYC002N05T316 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RYC002N05T316
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RYC002N05T316
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Descripción detallada
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 445200

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RYC002N05T316
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RYC002N05T316 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RYC002N05T316

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 800mV @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SST3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 350mW (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número de producto base RYC002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RYC002N05T316

Atributo del producto RYC002N05T316 RD3G600GNTL RYC8635-1M RYC8240-2WM
Número de pieza RYC002N05T316 RD3G600GNTL RYC8635-1M RYC8240-2WM
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Raychem Cable Protection/TE Connectivity Littelfuse Inc.
Serie - - - PolySwitch®
Vgs (Max) ±8V ±20V - -
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -40°C ~ 85°C (TA)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 60A (Ta) - -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
La disipación de energía (máximo) 350mW (Tc) 40W (Ta) - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50 V 40 V - -
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - 16-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 4.5V, 10V - -
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.6mOhm @ 60A, 10V - -
VGS (th) (Max) @Id 800mV @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Número de producto base RYC002 RD3G600 - RYC8240
Paquete del dispositivo SST3 TO-252 - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 26 pF @ 10 V 3400 pF @ 20 V - -
Tipo FET N-Channel N-Channel - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RYC002N05T316 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RYC002N05T316 y la documentación Rohm Semiconductor para RYC002N05T316 - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf SST3 Part Marking.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Hojas de datos
SOT-23 T116 Taping Spec.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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