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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRXH090N03TB1
RXH090N03TB1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RXH090N03TB1 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RXH090N03TB1
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RXH090N03TB1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
RXH090N03TB1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 72910

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RXH090N03TB1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RXH090N03TB1 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RXH090N03TB1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOP  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Número de producto base RXH090  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RXH090N03TB1

Atributo del producto RXH090N03TB1 IRFPG30 FDPF4N60NZ DMP2541UCB9-7
Número de pieza RXH090N03TB1 IRFPG30 FDPF4N60NZ DMP2541UCB9-7
Fabricante Rohm Semiconductor Vishay Siliconix onsemi Diodes Incorporated
Serie - - UniFET-II™ -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.8 nC @ 5 V 80 nC @ 10 V 10.8 nC @ 10 V 7 nC @ 4.5 V
RDS (Max) @Id, Vgs 17mOhm @ 9A, 10V 5Ohm @ 1.9A, 10V 2.5Ohm @ 1.9A, 10V 40mOhm @ 2A, 4.5V
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 440 pF @ 10 V 980 pF @ 25 V 510 pF @ 25 V 850 pF @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 1.8V, 4.5V
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 1.1V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 3.1A (Tc) 3.8A (Tc) 3.9A (Ta)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 1000 V 600 V 25 V
Número de producto base RXH090 IRFPG30 FDPF4 DMP2541
Temperatura de funcionamiento 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 155°C (TJ)
Paquete del dispositivo 8-SOP TO-247AC TO-220F-3 U-WLB1515-9
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta) 125W (Tc) 28W (Tc) 940mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±25V -6V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-247-3 TO-220-3 Full Pack 9-UFBGA, WLBGA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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