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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRW1E015RPT2R
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RW1E015RPT2R - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RW1E015RPT2R
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RW1E015RPT2R
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
Descripción detallada
Embalaje
6-SMD, Flat Leads
Ficha de datos
RW1E015RPT2R.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3690

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RW1E015RPT2R
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RW1E015RPT2R con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RW1E015RPT2R

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-WEMT  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Número de producto base RW1E015  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RW1E015RPT2R

Atributo del producto RW1E015RPT2R RW1C020UNT2R RW1E025RPT2CR RW1C026ZPT2CR
Número de pieza RW1E015RPT2R RW1C020UNT2R RW1E025RPT2CR RW1C026ZPT2CR
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
RDS (Max) @Id, Vgs 160mOhm @ 1.5A, 10V 105mOhm @ 2A, 4.5V 75mOhm @ 2.5A, 10V 70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 1.5V, 4.5V 4V, 10V 1.5V, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 3.2 nC @ 5 V 2 nC @ 4.5 V 5.2 nC @ 5 V 10 nC @ 4.5 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 230 pF @ 10 V 180 pF @ 10 V 480 pF @ 10 V 1250 pF @ 10 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 2A (Ta) 2.5A (Ta) 2.5A (Ta)
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 700mW (Ta) 700mW (Ta)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Número de producto base RW1E015 RW1C020 RW1E025 RW1C026
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA 1V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V ±10V ±20V ±10V
Serie - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 20 V 30 V 20 V
Paquete del dispositivo 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel

RW1E015RPT2R Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RW1E015RPT2R y la documentación Rohm Semiconductor para RW1E015RPT2R - Rohm Semiconductor.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2021.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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