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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRW1A020ZPT2R
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RW1A020ZPT2R - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RW1A020ZPT2R
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RW1A020ZPT2R
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6
Descripción detallada
Embalaje
6-SMD, Flat Leads
Ficha de datos
RW1A020ZPT2R.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4320

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RW1A020ZPT2R
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RW1A020ZPT2R con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RW1A020ZPT2R

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 6-WEMT  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Número de producto base RW1A020  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RW1A020ZPT2R

Atributo del producto RW1A020ZPT2R RW1C015UNT2R RW1A025APT2CR RW1A013ZPT2R
Número de pieza RW1A020ZPT2R RW1C015UNT2R RW1A025APT2CR RW1A013ZPT2R
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
La disipación de energía (máximo) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta) 400mW (Ta)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V 20 V 12 V 12 V
RDS (Max) @Id, Vgs 105mOhm @ 2A, 4.5V 180mOhm @ 1.5A, 4.5V 62mOhm @ 2.5A, 4.5V 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Número de producto base RW1A020 RW1C015 RW1A025 RW1A013
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V 1.5V, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 6.5 nC @ 4.5 V 1.8 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 2.4 nC @ 4.5 V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±10V ±10V -8V ±10V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads 6-SMD, Flat Leads
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 1.5A (Ta) 2.5A (Ta) 1.5A (Ta)
Paquete del dispositivo 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT 6-WEMT
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 6 V 110 pF @ 10 V 2000 pF @ 6 V 290 pF @ 6 V

RW1A020ZPT2R Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RW1A020ZPT2R y la documentación Rohm Semiconductor para RW1A020ZPT2R - Rohm Semiconductor.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 30/Sep/2021.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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