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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRV3C002UNT2CL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RV3C002UNT2CL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RV3C002UNT2CL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Descripción detallada
Embalaje
3-XFDFN
Ficha de datos
RV3C002UNT2CL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 206830

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RV3C002UNT2CL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RV3C002UNT2CL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RV3C002UNT2CL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo VML0604  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 100mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 3-XFDFN  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 150mA (Ta)  
Número de producto base RV3C002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RV3C002UNT2CL

Atributo del producto RV3C002UNT2CL BSZ049N03LSCGATMA1 IRF7233TRPBF BSO080P03NS3G
Número de pieza RV3C002UNT2CL BSZ049N03LSCGATMA1 IRF7233TRPBF BSO080P03NS3G
Fabricante Rohm Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
La disipación de energía (máximo) 100mW (Ta) - 2.5W (Ta) 1.6W (Ta)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 150mA (Ta) - 9.5A (Ta) 12A (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 2Ohm @ 150mA, 4.5V - 20mOhm @ 9.5A, 4.5V 8mOhm @ 14.8A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V - 2.5V, 4.5V 6V, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 12 pF @ 10 V - 6000 pF @ 10 V 6750 pF @ 15 V
Número de producto base RV3C002 - - -
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo VML0604 - 8-SO PG-DSO-8
Tipo FET N-Channel - P-Channel P-Channel
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA - 600mV @ 250µA (Min) 3.1V @ 150µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - * HEXFET® OptiMOS™ 3
Vgs (Max) ±10V - ±12V ±25V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V - 12 V 30 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 3-XFDFN - 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk

RV3C002UNT2CL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RV3C002UNT2CL y la documentación Rohm Semiconductor para RV3C002UNT2CL - Rohm Semiconductor.

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Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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