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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRUM002N02T2L
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RUM002N02T2L - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RUM002N02T2L
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RUM002N02T2L
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Descripción detallada
Embalaje
SOT-723
Ficha de datos
RUM002N02T2L.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 526300

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RUM002N02T2L
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RUM002N02T2L con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RUM002N02T2L

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo VMT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V  
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-723  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número de producto base RUM002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RUM002N02T2L

Atributo del producto RUM002N02T2L RUM002N05T2L RUM001L02T2CL RUM003N02 T2L
Número de pieza RUM002N02T2L RUM002N05T2L RUM001L02T2CL RUM003N02 T2L
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor LAPIS Technology
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Paquete del dispositivo VMT3 VMT3 VMT3 -
Paquete / Cubierta SOT-723 SOT-723 SOT-723 -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 2.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 50 V 20 V -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V 7.1 pF @ 10 V -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 200mA (Ta) 100mA (Ta) -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±8V -
Serie - - - -
Característica de FET - - - -
Número de producto base RUM002 RUM002 RUM001 -
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 100µA -
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) -

RUM002N02T2L Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RUM002N02T2L y la documentación Rohm Semiconductor para RUM002N02T2L - Rohm Semiconductor.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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