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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRUC002N05T116
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RUC002N05T116 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RUC002N05T116
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RUC002N05T116
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Descripción detallada
Embalaje
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de datos
RUC002N05T116.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 576100

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Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RUC002N05T116
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RUC002N05T116 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RUC002N05T116

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SST3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 200mW (Ta)  
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número de producto base RUC002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RUC002N05T116

Atributo del producto RUC002N05T116 SPP21N10 IXFK16N90Q TSM80N950CP
Número de pieza RUC002N05T116 SPP21N10 IXFK16N90Q TSM80N950CP
Fabricante Rohm Semiconductor Infineon Technologies IXYS Taiwan Semiconductor Corporation
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 25 pF @ 10 V 865 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V 691 pF @ 100 V
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V 80mOhm @ 15A, 10V 650mOhm @ 8A, 10V 950mOhm @ 3A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 21A (Tc) 16A (Tc) 6A (Tc)
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 4V @ 44µA 5V @ 4mA 4V @ 250µA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 50 V 100 V 900 V 800 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 10V 10V 10V
Paquete / Cubierta TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 TO-264-3, TO-264AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La disipación de energía (máximo) 200mW (Ta) 90W (Tc) 360W (Tc) 110W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V ±30V
Número de producto base RUC002 SPP21N IXFK16 TSM80
Serie - SIPMOS® HiPerFET™, Q Class -
Paquete del dispositivo SST3 PG-TO220-3-1 TO-264AA (IXFK) TO-252, (D-Pak)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

RUC002N05T116 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RUC002N05T116 y la documentación Rohm Semiconductor para RUC002N05T116 - Rohm Semiconductor.

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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