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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRU1C002ZPTCL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RU1C002ZPTCL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RU1C002ZPTCL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RU1C002ZPTCL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Descripción detallada
Embalaje
SC-85
Ficha de datos
UMT3 T106 Taping Spec.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 702800

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RU1C002ZPTCL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RU1C002ZPTCL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RU1C002ZPTCL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo UMT3F  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SC-85  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número de producto base RU1C002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RU1C002ZPTCL

Atributo del producto RU1C002ZPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1E002SPTCL
Número de pieza RU1C002ZPTCL RU1C001ZPTL RU1C002UNTCL RU1E002SPTCL
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Paquete / Cubierta SC-85 SC-85 SC-85 SC-85
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 100µA 1V @ 100µA 1V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 115 pF @ 10 V 15 pF @ 10 V 25 pF @ 10 V 30 pF @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Característica de FET - - - -
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Paquete del dispositivo UMT3F UMT3F UMT3F UMT3F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) 100mA (Ta) 200mA (Ta) 250mA (Ta)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 1.4 nC @ 4.5 V - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V 20 V 20 V 30 V
Número de producto base RU1C002 RU1C001 RU1C002 RU1E002
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.2V, 2.5V 4V, 10V
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 150mW (Ta) 200mW (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V 1.4Ohm @ 250mA, 10V
Serie - - - -
Vgs (Max) ±10V ±10V ±8V ±20V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

RU1C002ZPTCL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RU1C002ZPTCL y la documentación Rohm Semiconductor para RU1C002ZPTCL - Rohm Semiconductor.

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Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf
Hojas de datos
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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
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Italia 5
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Japón 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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