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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRTM002P02T2L
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RTM002P02T2L - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RTM002P02T2L
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RTM002P02T2L
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Descripción detallada
Embalaje
SOT-723
Ficha de datos
RTM002P02.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 181040

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RTM002P02T2L
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RTM002P02T2L con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RTM002P02T2L

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo VMT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SOT-723  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta)  
Número de producto base RTM002  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RTM002P02T2L

Atributo del producto RTM002P02T2L RTM002P02G RTM360-520-LF RTM360-516R
Número de pieza RTM002P02T2L RTM002P02G RTM360-520-LF RTM360-516R
Fabricante Rohm Semiconductor LAPIS Technology REALTEK REALTEK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V - - -
Paquete / Cubierta SOT-723 - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 10 V - - -
VGS (th) (Max) @Id 2V @ 1mA - - -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta) - - -
Paquete del dispositivo VMT3 - - -
Tipo de montaje Surface Mount - - -
Número de producto base RTM002 - - -
Serie - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 20 V - - -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) - - -
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 200mA (Ta) - - -
Paquete Tape & Reel (TR) - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V - - -
Tipo FET P-Channel - - -

RTM002P02T2L Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RTM002P02T2L y la documentación Rohm Semiconductor para RTM002P02T2L - Rohm Semiconductor.

Hojas de datos
RTM002P02.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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