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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRSY160P05TL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RSY160P05TL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RSY160P05TL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RSY160P05TL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
Descripción detallada
Embalaje
3-SMD, Flat Leads
Ficha de datos
RSY160P05TL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 34363

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RSY160P05TL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RSY160P05TL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RSY160P05TL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TCPT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 50mOhm @ 16A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 20W (Tc)  
Paquete / Cubierta 3-SMD, Flat Leads  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25.5 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 45 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Número de producto base RSY160  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RSY160P05TL

Atributo del producto RSY160P05TL FDD7N25LZTM RSS125N03TB SISS27ADN-T1-GE3
Número de pieza RSY160P05TL FDD7N25LZTM RSS125N03TB SISS27ADN-T1-GE3
Fabricante Rohm Semiconductor onsemi Rohm Semiconductor Vishay Siliconix
Número de producto base RSY160 FDD7N25 RSS125 SISS27
Serie - UniFET™ - TrenchFET® Gen III
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete del dispositivo TCPT3 TO-252AA 8-SOP PowerPAK® 1212-8S
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 6.2A (Tc) 12.5A (Ta) 50A (Tc)
Paquete / Cubierta 3-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) PowerPAK® 1212-8S
Característica de FET - - - -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 10 V 635 pF @ 25 V 1670 pF @ 10 V 4660 pF @ 15 V
La disipación de energía (máximo) 20W (Tc) 56W (Tc) 2W (Ta) 57W (Tc)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 2V @ 250µA 2.5V @ 1mA 2.2V @ 250µA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 45 V 250 V 30 V 30 V
Vgs (Max) ±20V ±20V 20V ±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25.5 nC @ 5 V 16 nC @ 10 V 28 nC @ 5 V 55 nC @ 4.5 V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 50mOhm @ 16A, 10V 550mOhm @ 3.1A, 10V 8.9mOhm @ 12.5A, 10V 5.1mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

RSY160P05TL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RSY160P05TL y la documentación Rohm Semiconductor para RSY160P05TL - Rohm Semiconductor.

PCN obsolescencia/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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