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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRSS120N03TB
RSS120N03TB Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RSS120N03TB - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RSS120N03TB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RSS120N03TB
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
RSS120N03.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3820

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RSS120N03TB
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RSS120N03TB con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RSS120N03TB

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) 20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOP  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  
Número de producto base RSS120  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RSS120N03TB

Atributo del producto RSS120N03TB RSS140N03TB RSS125N03FU6TB RSS130N03FU6TB
Número de pieza RSS120N03TB RSS140N03TB RSS125N03FU6TB RSS130N03FU6TB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
RDS (Max) @Id, Vgs 10mOhm @ 12A, 10V 6.7mOhm @ 14A, 10V 8.9mOhm @ 12.5A, 10V 8.1mOhm @ 13A, 10V
Paquete del dispositivo 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25 nC @ 5 V 37 nC @ 5 V 28 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 14A (Ta) 12.5A (Ta) 13A (Ta)
Vgs (Max) 20V 20V 20V 20V
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1360 pF @ 10 V 3150 pF @ 10 V 1670 pF @ 10 V 2000 pF @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número de producto base RSS120 RSS140 RSS125 RSS130
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 30 V 30 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Característica de FET - - - -

RSS120N03TB Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RSS120N03TB y la documentación Rohm Semiconductor para RSS120N03TB - Rohm Semiconductor.

Hojas de datos
RSS120N03.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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