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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRSS090P03FU6TB
RSS090P03FU6TB Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RSS090P03FU6TB - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RSS090P03FU6TB
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RSS090P03FU6TB
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Descripción detallada
Embalaje
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de datos
RSS090P03FU6TB.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4790

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RSS090P03FU6TB
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RSS090P03FU6TB con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RSS090P03FU6TB

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo 8-SOP  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta)  
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 39 nC @ 5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta)  
Número de producto base RSS090  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RSS090P03FU6TB

Atributo del producto RSS090P03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB RSS090N03FU6TB
Número de pieza RSS090P03FU6TB RSS095N05FU6TB RSS090P03TB RSS090N03FU6TB
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta) 9.5A (Ta) 9A (Ta) 9A (Ta)
Paquete del dispositivo 8-SOP 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 39 nC @ 5 V 26.5 nC @ 5 V 39 nC @ 5 V 15 nC @ 5 V
Serie - - - -
La disipación de energía (máximo) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V 16mOhm @ 9.5A, 10V 14mOhm @ 9A, 10V 15mOhm @ 9A, 10V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Característica de FET - - - -
Número de producto base RSS090 RSS095 RSS090 RSS090
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA - 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 10 V 1830 pF @ 10 V 4000 pF @ 10 V 810 pF @ 10 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 45 V 30 V 30 V
Paquete / Cubierta 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V 20V ±20V ±20V
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

RSS090P03FU6TB Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RSS090P03FU6TB y la documentación Rohm Semiconductor para RSS090P03FU6TB - Rohm Semiconductor.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Dev EOL 29/Oct/2018.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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