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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRSF014N03TL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RSF014N03TL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RSF014N03TL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RSF014N03TL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3
Descripción detallada
Embalaje
3-SMD, Flat Leads
Ficha de datos
RSF014N03TL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 118300

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RSF014N03TL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RSF014N03TL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RSF014N03TL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) 20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TUMT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 800mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 3-SMD, Flat Leads  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta)  
Número de producto base RSF014  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RSF014N03TL

Atributo del producto RSF014N03TL FQP9N50C IRFI4410ZPBF RSF015N06TL
Número de pieza RSF014N03TL FQP9N50C IRFI4410ZPBF RSF015N06TL
Fabricante Rohm Semiconductor onsemi Infineon Technologies Rohm Semiconductor
Vgs (Max) 20V ±30V ±30V ±20V
Tipo de montaje Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 240mOhm @ 1.4A, 10V 800mOhm @ 4.5A, 10V 9.3mOhm @ 26A, 10V 290mOhm @ 1.5A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 10V 4V, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 500 V 100 V 60 V
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - QFET® HEXFET® -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Ta) 9A (Tc) 43A (Tc) 1.5A (Ta)
La disipación de energía (máximo) 800mW (Ta) 135W (Tc) 47W (Tc) 800mW (Ta)
Paquete Tape & Reel (TR) Tube Tube Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta 3-SMD, Flat Leads TO-220-3 TO-220-3 Full Pack 3-SMD, Flat Leads
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 10 V 1030 pF @ 25 V 4910 pF @ 50 V 110 pF @ 10 V
Paquete del dispositivo TUMT3 TO-220-3 TO-220AB Full-Pak TUMT3
Número de producto base RSF014 FQP9 IRFI4410 RSF015
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 2 nC @ 5 V 35 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 2 nC @ 5 V
VGS (th) (Max) @Id 2.5V @ 1mA 4V @ 250µA 4V @ 150µA 2.5V @ 1mA

RSF014N03TL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RSF014N03TL y la documentación Rohm Semiconductor para RSF014N03TL - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
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Europa Alemania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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