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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRD3L140SPTL1
RD3L140SPTL1 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RD3L140SPTL1
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RD3L140SPTL1
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
RD3L140SPTL1.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 39830

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RD3L140SPTL1
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RD3L140SPTL1

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-252  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 20W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta)  
Número de producto base RD3L140  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RD3L140SPTL1

Atributo del producto RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Número de pieza RD3L140SPTL1 RD3U080CNTL1 RD3G500GNTL RD3P200SNTL1
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 10V 4.5V, 10V 4V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Paquete del dispositivo TO-252 TO-252 TO-252 TO-252
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base RD3L140 RD3U080 RD3G500 RD3P200
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) 8A (Tc) 50A (Tc) 20A (Ta)
RDS (Max) @Id, Vgs 84mOhm @ 14A, 10V 300mOhm @ 4A, 10V 4.9mOhm @ 50A, 10V 46mOhm @ 20A, 10V
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 60 V 250 V 40 V 100 V
La disipación de energía (máximo) 20W (Tc) 85W (Tc) 35W (Tc) 20W (Tc)
Serie - - - -
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @Id 3V @ 1mA 5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 27 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 10 V 1440 pF @ 25 V 22800 pF @ 20 V 2100 pF @ 25 V

RD3L140SPTL1 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RD3L140SPTL1 y la documentación Rohm Semiconductor para RD3L140SPTL1 - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf TO-252 Part Marking.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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