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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRCX300N20
RCX300N20 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RCX300N20 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RCX300N20
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RCX300N20
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 200V 30A TO220FM
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3 Full Pack
Ficha de datos
RCX300N20.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 48430

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RCX300N20
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RCX300N20 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RCX300N20

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220FM  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 2.23W (Ta), 40W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack  
Paquete Bulk  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Número de producto base RCX300  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RCX300N20

Atributo del producto RCX300N20 SI2334DS-T1-GE3 FDPF18N20FT DMT3008LFDF-7
Número de pieza RCX300N20 SI2334DS-T1-GE3 FDPF18N20FT DMT3008LFDF-7
Fabricante Rohm Semiconductor Vishay Siliconix onsemi Diodes Incorporated
RDS (Max) @Id, Vgs 80mOhm @ 15A, 10V 44mOhm @ 4.2A, 4.5V 140mOhm @ 9A, 10V 10mOhm @ 9A, 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3200 pF @ 25 V 634 pF @ 15 V 1180 pF @ 25 V 886 pF @ 15 V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA 1V @ 250µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA
Tipo de montaje Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Número de producto base RCX300 SI2334 FDPF18 DMT3008
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V ±8V ±30V ±20V
Característica de FET - - - -
Serie - TrenchFET® UniFET™ -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 60 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 26 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo TO-220FM SOT-23-3 (TO-236) TO-220F-3 U-DFN2020-6 (Type F)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 2.5V, 4.5V 10V 4.5V, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 4.9A (Tc) 18A (Tc) 12A (Ta)
Paquete Bulk Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 200 V 30 V 200 V 30 V
Paquete / Cubierta TO-220-3 Full Pack TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-220-3 Full Pack 6-UDFN Exposed Pad
La disipación de energía (máximo) 2.23W (Ta), 40W (Tc) 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) 41W (Tc) 800mW (Ta)

RCX300N20 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RCX300N20 y la documentación Rohm Semiconductor para RCX300N20 - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
Transistor, MOSFET Flammability.pdf
Información ambiental
Transistor Whisker Info.pdf Transistor, MOSFET Level 1 MSL.pdf

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Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
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Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
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Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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