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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaRAF040P01TCL
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

RAF040P01TCL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
RAF040P01TCL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-RAF040P01TCL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
Descripción detallada
Embalaje
3-SMD, Flat Leads
Ficha de datos
RAF040P01TCL.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 133020

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas RAF040P01TCL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - RAF040P01TCL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - RAF040P01TCL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) -8V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TUMT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V  
La disipación de energía (máximo) 800mW (Ta)  
Paquete / Cubierta 3-SMD, Flat Leads  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 6 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)  
Número de producto base RAF040  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor RAF040P01TCL

Atributo del producto RAF040P01TCL STD130N4F6AG SIRA62DP-T1-RE3 FDY301NZ
Número de pieza RAF040P01TCL STD130N4F6AG SIRA62DP-T1-RE3 FDY301NZ
Fabricante Rohm Semiconductor STMicroelectronics Vishay Siliconix onsemi
RDS (Max) @Id, Vgs 30mOhm @ 4A, 4.5V 3.6mOhm @ 40A, 10V 1.2mOhm @ 15A, 10V 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Serie - Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 TrenchFET® Gen IV PowerTrench®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) 80A (Tc) 51.4A (Ta), 80A (Tc) 200mA (Ta)
Vgs (Max) -8V ±20V +16V, -12V ±12V
Paquete del dispositivo TUMT3 DPAK PowerPAK® SO-8 SC-89-3
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V 10V 4.5V, 10V 1.5V, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 37 nC @ 4.5 V 70 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 1.1 nC @ 4.5 V
Número de producto base RAF040 STD130 SIRA62 FDY301
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
La disipación de energía (máximo) 800mW (Ta) 143W (Tc) 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 625mW (Ta)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4000 pF @ 6 V 4260 pF @ 25 V 4460 pF @ 15 V 60 pF @ 10 V
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Paquete / Cubierta 3-SMD, Flat Leads TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 PowerPAK® SO-8 SC-89, SOT-490
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 12 V 40 V 30 V 20 V
VGS (th) (Max) @Id 1V @ 1mA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Característica de FET - - - -

RAF040P01TCL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF RAF040P01TCL y la documentación Rohm Semiconductor para RAF040P01TCL - Rohm Semiconductor.

Otros documentos relacionados
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Información ambiental
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1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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