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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaR6076MNZ1C9
Rohm Semiconductor
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.
OPCIóN EXPRESA
Método de pago

R6076MNZ1C9 - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
R6076MNZ1C9
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-R6076MNZ1C9
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
R6076MNZ1C9.pdf
Estado RoHS
Nuestra certificación
Existencias disponibles: 5040

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Cantidad
OPCIóN EXPRESA
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Nuestra certificación

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas R6076MNZ1C9
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - R6076MNZ1C9 con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - R6076MNZ1C9

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 55mOhm @ 38A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 740W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 115 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)  
Número de producto base R6076  

Clasificaciones ambientales y de exportación

ATRIBUTO DESCRIPCIóN
Estado RoHS
Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estatus de alcance REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor R6076MNZ1C9

Atributo del producto R6076MNZ1C9 R6035ENZ1C9 R6047ENZ1C9 R6035KNZ1C9
Número de pieza R6076MNZ1C9 R6035ENZ1C9 R6047ENZ1C9 R6035KNZ1C9
Fabricante Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 2720 pF @ 25 V 3850 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Número de producto base R6076 - - R6035
Paquete Tube Tube Tube Tube
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc) 35A (Tc) 47A (Tc) 35A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 600 V 600 V 600 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 5V @ 1mA
Paquete del dispositivo TO-247 TO-247 TO-247 TO-247
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
La disipación de energía (máximo) 740W (Tc) 120W (Tc) 120W (Tc) 379W (Tc)
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 55mOhm @ 38A, 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V 72mOhm @ 25.8A, 10V 102mOhm @ 18.1A, 10V
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 115 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 145 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V
Serie - - - -

R6076MNZ1C9 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF R6076MNZ1C9 y la documentación Rohm Semiconductor para R6076MNZ1C9 - Rohm Semiconductor.

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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