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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escoja2SK3050TL
2SK3050TL Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

2SK3050TL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
2SK3050TL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-2SK3050TL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Descripción detallada
Embalaje
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de datos
2SK3050.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5010

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas 2SK3050TL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - 2SK3050TL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - 2SK3050TL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo CPT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5Ohm @ 1A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 20W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta)  
Número de producto base 2SK3050  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor 2SK3050TL

Atributo del producto 2SK3050TL 2SK3054-T1-A 2SK3048 2SK3043
Número de pieza 2SK3050TL 2SK3054-T1-A 2SK3048 2SK3043
Fabricante Rohm Semiconductor Renesas Electronics America Inc Panasonic Electronic Components Panasonic Electronic Components
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 1mA 1.5V @ 1µA 5V @ 1mA 5V @ 1mA
Paquete / Cubierta TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 SC-70, SOT-323 TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
RDS (Max) @Id, Vgs 5.5Ohm @ 1A, 10V 20Ohm @ 10mA, 4V 2.5Ohm @ 2A, 10V 1.3Ohm @ 3A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 25.6 nC @ 10 V - - -
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Serie - - - -
Número de producto base 2SK3050 - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica de FET - - - -
Paquete Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 10 V 8000 pF @ 3 V 750 pF @ 20 V 700 pF @ 20 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Ta) 100mA (Ta) 3A (Tc) 5A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 20W (Tc) - 2W (Ta), 35W (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Paquete del dispositivo CPT3 SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold TO-220D-A1 TO-220D-A1
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 600 V 50 V 600 V 450 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)

2SK3050TL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF 2SK3050TL y la documentación Rohm Semiconductor para 2SK3050TL - Rohm Semiconductor.

Hojas de datos
2SK3050.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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