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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escoja2SK3019TL
2SK3019TL Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

2SK3019TL - Rohm Semiconductor

Fabricante Número de pieza
2SK3019TL
Fabricante
LAPIS Technology
Allelco Número de pieza
32D-2SK3019TL
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Descripción detallada
Embalaje
SC-75, SOT-416
Ficha de datos
2SK3019.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 520450

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas 2SK3019TL
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de Rohm Semiconductor - 2SK3019TL con especificaciones similares a Rohm Semiconductor - 2SK3019TL

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante LAPIS Technology  
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo EMT3  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V  
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta)  
Paquete / Cubierta SC-75, SOT-416  
Paquete Tape & Reel (TR)  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)  
Número de producto base 2SK3019  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las Rohm Semiconductor 2SK3019TL

Atributo del producto 2SK3019TL 2SK3019A-TP 2SK302200L 2SK3019FTL
Número de pieza 2SK3019TL 2SK3019A-TP 2SK302200L 2SK3019FTL
Fabricante Rohm Semiconductor Micro Commercial Co Panasonic Electronic Components LAPIS Technology
RDS (Max) @Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V 8Ohm @ 10mA, 4.5V 130mOhm @ 3A, 10V -
Número de producto base 2SK3019 2SK3019 - -
Paquete Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13 pF @ 5 V 13 pF @ 5 V 220 pF @ 10 V -
La disipación de energía (máximo) 150mW (Ta) 150mW 1W (Ta), 10W (Tc) -
Serie - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V 4.5V 4V, 10V -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 30 V 30 V 60 V -
Paquete del dispositivo EMT3 SOT-523 U-G2 -
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta SC-75, SOT-416 SOT-523 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) 100mA 5A (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @Id 1.5V @ 100µA 1.5V @ 100µA 2.5V @ 1mA -

2SK3019TL Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF 2SK3019TL y la documentación Rohm Semiconductor para 2SK3019TL - Rohm Semiconductor.

Hojas de datos
2SK3019.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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