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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-matricesVMM650-01F
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

VMM650-01F - IXYS

Fabricante Número de pieza
VMM650-01F
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-VMM650-01F
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
Descripción detallada
Embalaje
Y3-Li
Ficha de datos
VMM650-01F.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4930

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas VMM650-01F
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - VMM650-01F con especificaciones similares a IXYS - VMM650-01F

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 30mA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo Y3-Li  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2mOhm @ 500A, 10V  
Potencia - Max -  
Paquete / Cubierta Y3-Li  
Paquete Box  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 1440nC @ 10V  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 680A  
Configuración 2 N-Channel (Dual)  
Número de producto base VMM650  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS VMM650-01F

Atributo del producto VMM650-01F VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F
Número de pieza VMM650-01F VMM300-03F VMM85-02F VMM90-09F
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100V 300V 200V 900V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base VMM650 VMM300 VMM85 VMM90
RDS (Max) @Id, Vgs 2.2mOhm @ 500A, 10V 8.6mOhm @ 145A, 10V 25mOhm @ 500mA, 10V 76mOhm @ 65A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 680A 290A 84A 85A
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 1440nC @ 10V 1440nC @ 10V 450nC @ 10V 960nC @ 10V
Paquete / Cubierta Y3-Li Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li
Serie HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™ HiPerFET™
Configuración 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Potencia - Max - 1500W 370W -
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 30mA 4V @ 30mA 4V @ 8mA 5V @ 30mA
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds - 40000pF @ 25V 15000pF @ 25V -
Paquete Box Box Box Box
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo Y3-Li Y3-DCB Y4-M6 Y3-Li
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

VMM650-01F Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF VMM650-01F y la documentación IXYS para VMM650-01F - IXYS.

PCN obsolescencia/ EOL
OBS NOTICE 27/Mar/2023.pdf
Hojas de datos
VMM650-01F.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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La forma de pago puede elegirse entre los métodos que se indican a continuación: Transferencia bancaria (T/T, Transferencia bancaria), Western Union, Tarjeta de crédito, PayPal.

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