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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTN600N04T2
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTN600N04T2 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTN600N04T2
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTN600N04T2
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXTN600N04T2.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1093

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTN600N04T2
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTN600N04T2 con especificaciones similares a IXYS - IXTN600N04T2

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie TrenchT2™  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 940W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 590 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 600A (Tc)  
Número de producto base IXTN600  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTN600N04T2

Atributo del producto IXTN600N04T2 IXTN62N50L IXTP01N100D IXTP02N50D
Número de pieza IXTN600N04T2 IXTN62N50L IXTP01N100D IXTP02N50D
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 40 V 500 V 1000 V 500 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número de producto base IXTN600 IXTN62 IXTP01 IXTP02
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 590 nC @ 10 V 550 nC @ 20 V 5.8 nC @ 5 V -
RDS (Max) @Id, Vgs 1.05mOhm @ 100A, 10V 100mOhm @ 500mA, 20V 80Ohm @ 50mA, 0V 30Ohm @ 50mA, 0V
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-220-3 TO-220-3
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Característica de FET - - Depletion Mode Depletion Mode
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B TO-220-3 TO-220-3
Paquete Tube Tube Tube Tube
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 600A (Tc) 62A (Tc) 400mA (Tc) 200mA (Tc)
Serie TrenchT2™ Linear Depletion Depletion
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 20V 0V 10V
VGS (th) (Max) @Id 3.5V @ 250µA 5V @ 250µA 4.5V @ 25µA 5V @ 25µA
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La disipación de energía (máximo) 940W (Tc) 800W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 40000 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 100 pF @ 25 V 120 pF @ 25 V

IXTN600N04T2 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTN600N04T2 y la documentación IXYS para IXTN600N04T2 - IXYS.

Hojas de datos
IXTN600N04T2.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
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Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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