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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTN21N100
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTN21N100 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTN21N100
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTN21N100
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1000V 21A SOT227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXT(K,N)21N100.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3890

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTN21N100
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTN21N100 con especificaciones similares a IXYS - IXTN21N100

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 500µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie MegaMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 520W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 250 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  
Número de producto base IXTN21  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTN21N100

Atributo del producto IXTN21N100 IXTN210P10T IXTN40P50P IXTL2N450
Número de pieza IXTN21N100 IXTN210P10T IXTN40P50P IXTL2N450
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V 100 V 500 V 4500 V
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXTN21 IXTN210 IXTN40 IXTL2
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V ±20V
La disipación de energía (máximo) 520W (Tc) 830W (Tc) 890W (Tc) 220W (Tc)
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Through Hole
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 250 nC @ 10 V 740 nC @ 10 V 205 nC @ 10 V 156 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8400 pF @ 25 V 69500 pF @ 25 V 11500 pF @ 25 V 6900 pF @ 25 V
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B ISOPLUSi5-Pak™
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 500µA 4.5V @ 250µA 4V @ 1mA 6V @ 250µA
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Paquete Tube Tube Tube Tube
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC ISOPLUSi5-Pak™
RDS (Max) @Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 10V 7.5mOhm @ 105A, 10V 230mOhm @ 500mA, 10V 23Ohm @ 1A, 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 210A (Tc) 40A (Tc) 2A (Tc)
Serie MegaMOS™ TrenchP™ PolarP™ -

IXTN21N100 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTN21N100 y la documentación IXYS para IXTN21N100 - IXYS.

Hojas de datos
IXT(K,N)21N100.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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