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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTK170N10P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTK170N10P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTK170N10P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTK170N10P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 170A TO264
Descripción detallada
Embalaje
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de datos
IXT(K,Q,T)170N10P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3357

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTK170N10P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTK170N10P con especificaciones similares a IXYS - IXTK170N10P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-264 (IXTK)  
Serie Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 715W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 198 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc)  
Número de producto base IXTK170  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTK170N10P

Atributo del producto IXTK170N10P IXTK21N100 IXTK180N15 IXTK17N120L
Número de pieza IXTK170N10P IXTK21N100 IXTK180N15 IXTK17N120L
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 20V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie Polar MegaMOS™ MegaMOS™ Linear
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA 4.5V @ 500µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Característica de FET - - - -
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 170A (Tc) 21A (Tc) 180A (Tc) 17A (Tc)
Número de producto base IXTK170 IXTK21 IXTK180 IXTK17
La disipación de energía (máximo) 715W (Tc) 500W (Tc) 730W (Tc) 700W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 198 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 240 nC @ 10 V 155 nC @ 15 V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 1000 V 150 V 1200 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
Paquete del dispositivo TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK) TO-264 (IXTK)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 8300 pF @ 25 V
RDS (Max) @Id, Vgs 9mOhm @ 500mA, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 9mOhm @ 500mA, 10V 900mOhm @ 8.5A, 20V

IXTK170N10P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTK170N10P y la documentación IXYS para IXTK170N10P - IXYS.

Hojas de datos
IXT(K,Q,T)170N10P.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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