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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTH1N250
IXTH1N250 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTH1N250 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTH1N250
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTH1N250
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXTH1N250.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 851

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTH1N250
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTH1N250 con especificaciones similares a IXYS - IXTH1N250

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD  
Serie -  
RDS (Max) @Id, Vgs 40Ohm @ 750mA, 10V  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 2500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc)  
Número de producto base IXTH1  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTH1N250

Atributo del producto IXTH1N250 IXTH20P50P IXTH20N60 IXTH200N10T
Número de pieza IXTH1N250 IXTH20P50P IXTH20N60 IXTH200N10T
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 2500 V 500 V 600 V 100 V
Número de producto base IXTH1 IXTH20 IXTH20 IXTH200
Paquete Tube Tube Tube Tube
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 41 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 152 nC @ 10 V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1660 pF @ 25 V 5120 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
Característica de FET - - - -
Paquete del dispositivo TO-247AD TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
RDS (Max) @Id, Vgs 40Ohm @ 750mA, 10V 450mOhm @ 10A, 10V 350mOhm @ 10A, 10V 5.5mOhm @ 50A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 1.5A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 200A (Tc)
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Serie - PolarP™ MegaMOS™ Trench
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXTH1N250 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTH1N250 y la documentación IXYS para IXTH1N250 - IXYS.

Hojas de datos
IXTH1N250.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
  2. Use nuestra cuenta para el envío.Consulte la tabla a continuación para obtener los cargos aproximados.
(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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