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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXTH12N90
IXTH12N90 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXTH12N90 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXTH12N90
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXTH12N90
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 900V 12A TO247
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXT(H,M)12N90.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 3790

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXTH12N90
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXTH12N90 con especificaciones similares a IXYS - IXTH12N90

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247 (IXTH)  
Serie MegaMOS™  
RDS (Max) @Id, Vgs 900mOhm @ 6A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Número de producto base IXTH12  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXTH12N90

Atributo del producto IXTH12N90 IXTH130N10T IXTH14N80 IXTH12N100
Número de pieza IXTH12N90 IXTH130N10T IXTH14N80 IXTH12N100
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Característica de FET - - - -
RDS (Max) @Id, Vgs 900mOhm @ 6A, 10V 9.1mOhm @ 25A, 10V 700mOhm @ 500mA, 10V 1.05Ohm @ 6A, 10V
Paquete del dispositivo TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH) TO-247 (IXTH)
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4500 pF @ 25 V 5080 pF @ 25 V 4500 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Número de producto base IXTH12 IXTH130 IXTH14 IXTH12
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 170 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Serie MegaMOS™ Trench MegaMOS™ MegaMOS™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 900 V 100 V 800 V 1000 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 130A (Tc) 14A (Tc) 12A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La disipación de energía (máximo) 300W (Tc) 360W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

IXTH12N90 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXTH12N90 y la documentación IXYS para IXTH12N90 - IXYS.

Hojas de datos
IXT(H,M)12N90.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Modos de pago compatibles

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