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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFT32N50
IXFT32N50 Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFT32N50 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFT32N50
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFT32N50
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
Descripción detallada
Embalaje
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Ficha de datos
IXFT32N50.pdf
Existencias disponibles: 5240

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFT32N50
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFT32N50 con especificaciones similares a IXYS - IXFT32N50

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-268AA  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 360W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Surface Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc)  
Número de producto base IXFT32  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFT32N50

Atributo del producto IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Número de pieza IXFT32N50 IXFT88N30P IXFR66N50Q2 IXFT44N50P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Número de producto base IXFT32 IXFT88 IXFR66 IXFT44
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5700 pF @ 25 V 6300 pF @ 25 V 9125 pF @ 25 V 5440 pF @ 25 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 8mA 5V @ 4mA
RDS (Max) @Id, Vgs 150mOhm @ 15A, 10V 40mOhm @ 44A, 10V 85mOhm @ 33A, 10V 140mOhm @ 22A, 10V
Paquete / Cubierta TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA TO-247-3 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 300 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™ HiPerFET™, Polar
Característica de FET - - - -
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±30V
Paquete del dispositivo TO-268AA TO-268AA ISOPLUS247™ TO-268AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 32A (Tc) 88A (Tc) 50A (Tc) 44A (Tc)
La disipación de energía (máximo) 360W (Tc) 600W (Tc) 500W (Tc) 658W (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 300 V 500 V 500 V

IXFT32N50 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFT32N50 y la documentación IXYS para IXFT32N50 - IXYS.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Mosfet EOL 22/Mar/2017.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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