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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFP6N120P
IXFP6N120P Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFP6N120P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFP6N120P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFP6N120P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IXF(A,P,H)6N120P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 7791

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFP6N120P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFP6N120P con especificaciones similares a IXYS - IXFP6N120P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220-3  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 250W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2830 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 92 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Número de producto base IXFP6N120  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFP6N120P

Atributo del producto IXFP6N120P IXFP8N85X IXFQ20N50P3 IXFP4N85X
Número de pieza IXFP6N120P IXFP8N85X IXFQ20N50P3 IXFP4N85X
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
La disipación de energía (máximo) 250W (Tc) 200W (Tc) 380W (Tc) 150W (Tc)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Paquete Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar3™ HiPerFET™, Ultra X
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2830 pF @ 25 V 654 pF @ 25 V 1800 pF @ 25 V 247 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 92 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 7 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 1mA 5.5V @ 250µA 5V @ 1.5mA 5.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Paquete del dispositivo TO-220-3 TO-220AB (IXFP) TO-3P TO-220AB (IXFP)
RDS (Max) @Id, Vgs 2.4Ohm @ 500mA, 10V 850mOhm @ 4A, 10V 300mOhm @ 10A, 10V 2.5Ohm @ 2A, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 8A (Tc) 20A (Tc) 3.5A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1200 V 850 V 500 V 850 V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXFP6N120 IXFP8N85 IXFQ20 IXFP4N85

IXFP6N120P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFP6N120P y la documentación IXYS para IXFP6N120P - IXYS.

Hojas de datos
IXF(A,P,H)6N120P.pdf

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Coste de envío

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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  2. Otras más formas de envío, póngase en contacto con su gerente de clientes.

Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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