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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFP130N10T
IXFP130N10T Image
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFP130N10T - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFP130N10T
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFP130N10T
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
Descripción detallada
Embalaje
TO-220-3
Ficha de datos
IXF(A,P)130N10T.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 8554

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFP130N10T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFP130N10T con especificaciones similares a IXYS - IXFP130N10T

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-220-3  
Serie HiPerFET™, Trench  
RDS (Max) @Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 360W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-220-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 104 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc)  
Número de producto base IXFP130  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFP130N10T

Atributo del producto IXFP130N10T IXFP14N85X IXFP16N50P IXFP130N10T2
Número de pieza IXFP130N10T IXFP14N85X IXFP16N50P IXFP130N10T2
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Número de producto base IXFP130 IXFP14 IXFP16 IXFP130
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5080 pF @ 25 V 1043 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 6600 pF @ 25 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete Tube Tube Tube Tube
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 104 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Característica de FET - - - -
Paquete / Cubierta TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 1mA 5.5V @ 1mA 5.5V @ 2.5mA 4.5V @ 1mA
Paquete del dispositivo TO-220-3 TO-220AB (IXFP) TO-220-3 TO-220-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 9.1mOhm @ 25A, 10V 550mOhm @ 500mA, 10V 400mOhm @ 8A, 10V 9.1mOhm @ 65A, 10V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
La disipación de energía (máximo) 360W (Tc) 460W (Tc) 300W (Tc) 360W (Tc)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 130A (Tc) 14A (Tc) 16A (Tc) 130A (Tc)
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, TrenchT2™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 850 V 500 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V

IXFP130N10T Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFP130N10T y la documentación IXYS para IXFP130N10T - IXYS.

Hojas de datos
IXF(A,P)130N10T.pdf

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  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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