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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN80N50
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN80N50 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN80N50
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN80N50
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN80N50.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 947

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN80N50
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN80N50 con especificaciones similares a IXYS - IXFN80N50

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™  
RDS (Max) @Id, Vgs 55mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9890 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 380 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc)  
Número de producto base IXFN80  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN80N50

Atributo del producto IXFN80N50 IXFN80N50P IXFN80N50Q2 IXFN80N48
Número de pieza IXFN80N50 IXFN80N50P IXFN80N50Q2 IXFN80N48
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete Tube Tube Tube Tube
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Número de producto base IXFN80 IXFN80 IXFN80 IXFN80
Característica de FET - - - -
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 380 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 380 nC @ 10 V
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B
Serie HiPerFET™ HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9890 pF @ 25 V 12700 pF @ 25 V 12800 pF @ 25 V 9890 pF @ 25 V
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 66A (Tc) 66A (Tc) 72A (Tc) 80A (Tc)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 500 V 500 V 480 V
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
La disipación de energía (máximo) 700W (Tc) 700W (Tc) 890W (Tc) 700W (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 8mA 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 4V @ 8mA
RDS (Max) @Id, Vgs 55mOhm @ 500mA, 10V 65mOhm @ 500mA, 10V 60mOhm @ 500mA, 10V 45mOhm @ 500mA, 10V

IXFN80N50 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN80N50 y la documentación IXYS para IXFN80N50 - IXYS.

PCN obsolescencia/ EOL
Mult Devices OBS 24/Feb/2014.pdf
Hojas de datos
IXFN80N50.pdf

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Coste de envío

  1. Use su cuenta expresa para el envío si tiene una.
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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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