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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFN420N10T
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFN420N10T - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFN420N10T
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFN420N10T
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFN420N10T.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1677

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFN420N10T
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFN420N10T con especificaciones similares a IXYS - IXFN420N10T

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Trench  
RDS (Max) @Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1070W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 47000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 670 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 420A (Tc)  
Número de producto base IXFN420  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFN420N10T

Atributo del producto IXFN420N10T IXFN38N80Q2 IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2
Número de pieza IXFN420N10T IXFN38N80Q2 IXFN44N100Q3 IXFN44N50U2
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 47000 pF @ 25 V 8340 pF @ 25 V 13600 pF @ 25 V 8400 pF @ 25 V
Paquete Tube Tube Tube Tube
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±20V
Número de producto base IXFN420 IXFN38 IXFN44 IXFN44
Característica de FET - - - -
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC
RDS (Max) @Id, Vgs 2.3mOhm @ 60A, 10V 220mOhm @ 500mA, 10V 220mOhm @ 22A, 10V 120mOhm @ 500mA, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 670 nC @ 10 V 190 nC @ 10 V 264 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 420A (Tc) 38A (Tc) 38A (Tc) 44A (Tc)
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA 4.5V @ 8mA 6.5V @ 8mA 4V @ 8mA
La disipación de energía (máximo) 1070W (Tc) 735W (Tc) 960W (Tc) 520W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 100 V 800 V 1000 V 500 V
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B SOT-227B SOT-227B

IXFN420N10T Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFN420N10T y la documentación IXYS para IXFN420N10T - IXYS.

Hojas de datos
IXFN420N10T.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

Método de entrega

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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