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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFH96N15P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFH96N15P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFH96N15P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFH96N15P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 150V 96A TO247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXF(H,V)96N15P(S).pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 6189

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFH96N15P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFH96N15P con especificaciones similares a IXYS - IXFH96N15P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 24mOhm @ 500mA, 10V  
La disipación de energía (máximo) 480W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Box  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 96A (Tc)  
Número de producto base IXFH96  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFH96N15P

Atributo del producto IXFH96N15P IXFH86N30T IXFK100N65X2 IXFK120N20
Número de pieza IXFH96N15P IXFH86N30T IXFK100N65X2 IXFK120N20
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Ultra X2 HiPerFET™
La disipación de energía (máximo) 480W (Tc) 860W (Tc) 1040W (Tc) 560W (Tc)
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXFH96 IXFH86 IXFK100 IXFK120
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 4mA 5V @ 4mA 5.5V @ 4mA 4V @ 8mA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-264 TO-264AA (IXFK)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
RDS (Max) @Id, Vgs 24mOhm @ 500mA, 10V 43mOhm @ 43A, 10V 30mOhm @ 50A, 10V 17mOhm @ 60A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 110 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 150 V 300 V 650 V 200 V
Paquete Box Tube Tube Tube
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 96A (Tc) 86A (Tc) 100A (Tc) 120A (Tc)
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3500 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 11300 pF @ 25 V 9100 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±30V ±20V

IXFH96N15P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFH96N15P y la documentación IXYS para IXFH96N15P - IXYS.

Hojas de datos
IXF(H,V)96N15P(S).pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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