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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFH6N100Q
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFH6N100Q - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFH6N100Q
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFH6N100Q
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1000V 6A TO247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXF(H,T)6N100Q.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 5400

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFH6N100Q
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFH6N100Q con especificaciones similares a IXYS - IXFH6N100Q

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q Class  
RDS (Max) @Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 180W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)  
Número de producto base IXFH6  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFH6N100Q

Atributo del producto IXFH6N100Q IXFH74N20P IXFH60N60X3 IXFH6N100
Número de pieza IXFH6N100Q IXFH74N20P IXFH60N60X3 IXFH6N100
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
RDS (Max) @Id, Vgs 1.9Ohm @ 3A, 10V 34mOhm @ 37A, 10V 51mOhm @ 30A, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Ultra X3 HiPerFET™
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 3450 pF @ 25 V 2600 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 48 nC @ 10 V 107 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @Id 4.5V @ 2.5mA 5V @ 4mA 5V @ 4mA 4.5V @ 2.5mA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Característica de FET - - - -
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V 200 V 600 V 1000 V
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Número de producto base IXFH6 IXFH74 IXFH60 IXFH6
La disipación de energía (máximo) 180W (Tc) 480W (Tc) 625W (Tc) 180W (Tc)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc) 74A (Tc) 60A (Tc) 6A (Tc)
Paquete Tube Box Tube Tube
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH) TO-247 TO-247AD (IXFH)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

IXFH6N100Q Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFH6N100Q y la documentación IXYS para IXFH6N100Q - IXYS.

Hojas de datos
IXF(H,T)6N100Q.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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