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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFH18N100Q3
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFH18N100Q3 - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFH18N100Q3
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFH18N100Q3
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Descripción detallada
Embalaje
TO-247-3
Ficha de datos
IXFx18N100Q3.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 2636

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFH18N100Q3
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFH18N100Q3 con especificaciones similares a IXYS - IXFH18N100Q3

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 4mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH)  
Serie HiPerFET™, Q3 Class  
RDS (Max) @Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 830W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-247-3  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4890 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)  
Número de producto base IXFH18  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFH18N100Q3

Atributo del producto IXFH18N100Q3 IXFH20N85X IXFH18N90P IXFH16N50P3
Número de pieza IXFH18N100Q3 IXFH20N85X IXFH18N90P IXFH16N50P3
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete / Cubierta TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 1000 V 850 V 900 V 500 V
VGS (th) (Max) @Id 6.5V @ 4mA 5.5V @ 2.5mA 6.5V @ 1mA 5V @ 2.5mA
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4890 pF @ 25 V 1660 pF @ 25 V 5230 pF @ 25 V 1515 pF @ 25 V
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXFH18 IXFH20 IXFH18 IXFH16
Paquete Tube Tube Tube Tube
Serie HiPerFET™, Q3 Class HiPerFET™, Ultra X HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar3™
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 18A (Tc) 20A (Tc) 18A (Tc) 16A (Tc)
Paquete del dispositivo TO-247AD (IXFH) TO-247 (IXTH) TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
RDS (Max) @Id, Vgs 660mOhm @ 9A, 10V 330mOhm @ 500mA, 10V 600mOhm @ 500mA, 10V 360mOhm @ 8A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
La disipación de energía (máximo) 830W (Tc) 540W (Tc) 540W (Tc) 330W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 90 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 97 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IXFH18N100Q3 Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFH18N100Q3 y la documentación IXYS para IXFH18N100Q3 - IXYS.

Hojas de datos
IXFx18N100Q3.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
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Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabla anterior es solo para referencia.Puede tener algunos sesgos de datos para los factores incontrolables.
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