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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFE48N50Q
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFE48N50Q - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFE48N50Q
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFE48N50Q
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227B
Descripción detallada
Embalaje
SOT-227-4, miniBLOC
Ficha de datos
IXFE(44,48)N50Q.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 4310

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFE48N50Q
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFE48N50Q con especificaciones similares a IXYS - IXFE48N50Q

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 4mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo SOT-227B  
Serie HiPerFET™, Q Class  
RDS (Max) @Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 400W (Tc)  
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montaje Chassis Mount  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 190 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc)  
Número de producto base IXFE48  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFE48N50Q

Atributo del producto IXFE48N50Q IXFE23N100 IXFH102N15T IXFH110N25T
Número de pieza IXFE48N50Q IXFE23N100 IXFH102N15T IXFH110N25T
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paquete / Cubierta SOT-227-4, miniBLOC SOT-227-4, miniBLOC TO-247-3 TO-247-3
Tipo de montaje Chassis Mount Chassis Mount Through Hole Through Hole
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 1000 V 150 V 250 V
Serie HiPerFET™, Q Class HiPerFET™ HiPerFET™, Trench HiPerFET™, Trench
RDS (Max) @Id, Vgs 110mOhm @ 24A, 10V 430mOhm @ 11.5A, 10V 18mOhm @ 500mA, 10V 24mOhm @ 55A, 10V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 41A (Tc) 21A (Tc) 102A (Tc) 110A (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 190 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 87 nC @ 10 V 157 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000 pF @ 25 V 7000 pF @ 25 V 5220 pF @ 25 V 9400 pF @ 25 V
La disipación de energía (máximo) 400W (Tc) 500W (Tc) 455W (Tc) 694W (Tc)
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXFE48 IXFE23 IXFH102 IXFH110
VGS (th) (Max) @Id 4V @ 4mA 5V @ 8mA 5V @ 1mA 4.5V @ 3mA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete Tube Box Tube Tube
Paquete del dispositivo SOT-227B SOT-227B TO-247AD (IXFH) TO-247AD (IXFH)

IXFE48N50Q Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFE48N50Q y la documentación IXYS para IXFE48N50Q - IXYS.

Hojas de datos
IXFE(44,48)N50Q.pdf

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(Diferentes marco de tiempo / países / tamaño del paquete tiene un precio diferente).

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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