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CasaProductosProductos semiconductores discretosTransistores-FETs, MOSFETs-escojaIXFB100N50P
IXYS
Las imágenes son sólo de referencia, consulte las especificaciones para obtener más información sobre el producto.

IXFB100N50P - IXYS

Fabricante Número de pieza
IXFB100N50P
Fabricante
IXYS Corporation
Allelco Número de pieza
32D-IXFB100N50P
Modelo ECAD
Descripción de piezas
MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
Descripción detallada
Embalaje
TO-264-3, TO-264AA
Ficha de datos
IXFB100N50P.pdf
Estado RoHS
Existencias disponibles: 1631

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Cantidad

Especificaciones

Especificaciones tecnológicas IXFB100N50P
Especificaciones técnicas, atributos, parámetros y partes de IXYS - IXFB100N50P con especificaciones similares a IXYS - IXFB100N50P

Atributo del producto Valor del atributo  
Fabricante IXYS Corporation  
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)  
Paquete del dispositivo PLUS264™  
Serie HiPerFET™, Polar  
RDS (Max) @Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V  
La disipación de energía (máximo) 1890W (Tc)  
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA  
Paquete Tube  
Atributo del producto Valor del atributo  
Temperatura de funcionamiento -  
Tipo de montaje Through Hole  
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V  
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica de FET -  
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V  
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Número de producto base IXFB100  

Piezas con especificaciones similares

Las tres piezas de la derecha tienen especificaciones similares a las IXYS IXFB100N50P

Atributo del producto IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Número de pieza IXFB100N50P IXFB50N80Q2 IXFA7N80P IXFA7N100P
Fabricante IXYS IXYS IXYS IXYS
Paquete / Cubierta TO-264-3, TO-264AA TO-264-3, TO-264AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo de montaje Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Q2 Class HiPerFET™, Polar HiPerFET™, Polar
Paquete Tube Tube Tube Tube
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 20000 pF @ 25 V 7200 pF @ 25 V 1890 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 8mA 5.5V @ 8mA 5V @ 1mA 6V @ 1mA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
La disipación de energía (máximo) 1890W (Tc) 1135W (Tc) 200W (Tc) 300W (Tc)
Característica de FET - - - -
Número de producto base IXFB100 IXFB50 IXFA7N80 IXFA7N100
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 500 V 800 V 800 V 1000 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 50A (Tc) 7A (Tc) 7A (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paquete del dispositivo PLUS264™ PLUS264™ TO-263AA (IXFA) TO-263AA (IXFA)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Temperatura de funcionamiento - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
RDS (Max) @Id, Vgs 49mOhm @ 50A, 10V 160mOhm @ 500mA, 10V 1.44Ohm @ 3.5A, 10V 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 240 nC @ 10 V 260 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V

IXFB100N50P Hoja de datos PDF

Descargue las hojas de datos PDF IXFB100N50P y la documentación IXYS para IXFB100N50P - IXYS.

Hojas de datos
IXFB100N50P.pdf

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Referencia de tiempo logístico de países comunes
Región País Hora logística (día)
America Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemania 5
Reino Unido 4
Italia 5
Oceanía Australia 6
Nueva Zelanda 5
Asia India 4
Japón 4
Oriente Medio Israel 6
Referencia de cargos de envío de DHL y FedEx
Cargos de envío (kg) Referencia DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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